ट्रांझिस्टर

विकिपीडिया, मुक्‍त ज्ञानकोशातून


निरनिराळे ट्रांझिस्टर

ट्रांझिस्टर हा अर्धवाहक गटातील एक इलेक्ट्रॉनिक घटक आहे. याला तीन पाय असतात.

इतिहास[संपादन]

इ.स.१९४७ साली विल्यम शॉकली, जॉन बारडीन, वाल्टर ब्रटन या अमेरिकन वैज्ञानिकांनी ट्रांझिस्टरचा शोध लावला. जर्मेनियम, सिलिकॉन, इंडियम अशा अर्धवाहक मूलद्रव्यांपासून बनवलेल्या या इलेक्ट्रॉनिक घटकामुळे इलेक्ट्रॉनिक विश्वात अभूतपूर्व क्रांती झाली आणि सर्कीट अतिशय छोटे झाले.

महत्त्व[संपादन]

ट्रांझिस्टर वापरुन बनवलेली सर्कीट आकाराने लहान व जलद झाली. ट्रांझिस्टरचा सर्वात महत्वाचा गुण म्हणजे याला फारच कमी उर्जा लागते.

उपयोग[संपादन]

कार्य कसे चालते[संपादन]

ट्रांझिस्टर-अँप्लिफायर मध्ये असलेला उपयोग
ट्रांझिस्टर-साध्या सर्किट मध्ये उपयोग
चित्र:TransferChars.jpg
ट्रांझिस्टरचालू असतांना कार्याचा ग्राफ

ट्रांझिस्टर चा स्विच म्हणून उपयोग[संपादन]

ट्रांझिस्टर चा अँप्लिफायर म्हणून उपयोग[संपादन]

ट्रांझिस्टर चा अॅप्लिफायर म्हणून उपयोग[संपादन]

फायदे[संपादन]

तोटे[संपादन]

प्रकार[संपादन]

  • जर्मेनियम
  • सिलीकॉन
  • फिल्ड इफेक्ट(FET)
  • जंक्शन फिल्ड इफेक्ट(JFET)
  • मेटल ऑक्साइड सिलीकॉन फिल्ड इफेक्ट(MOSFET)

चित्र दालन[संपादन]

पहिल्या चालू असलेल्या ट्रांझिस्टरची एक प्रतिकृती

अधिक वाचने[संपादन]

बाह्य दुवे[संपादन]

डाटाशीटस्[संपादन]

इ.स. १९६० पासून अनेक प्रकारचे ट्रांझिस्टर उपलब्ध झाले आहेत. त्यासाठी लागणारे विश्लेषण खालील डाटाशीट्स मध्ये मिळेल.

  • 2N3904/2N3906, BC182/BC212 and BC546/BC556: Ubiquitous, BJT, general-purpose, low-power, complementary pairs. They have plastic cases and cost roughly ten cents U.S. in small quantities, making them popular with hobbyists.
  • AF107: Germanium, 0.5 watt, 250 MHz PNP BJT.
  • BFP183: Low power, 8 GHz microwave NPN BJT.
  • LM394: "supermatch pair", with two NPN BJTs on a single substrate.
  • 2N2219A/2N2905A: BJT, general purpose, medium power, complementary pair. With metal cases they are rated at about one watt.
  • 2N3055/MJ2955: For years, the venerable NPN 2N3055 has been the "standard" power transistor. Its complement, the PNP MJ2955 arrived later. These 1 MHz, 15 A, 60 V, 115 W BJTs are used in audio power amplifiers, power supplies, and control.
  • 2N7000 is a typical small-signal field-effect transistor.
  • 2SC3281/2SA1302: Made by Toshiba, these BJTs have low-distortion characteristics and are used in high-power audio amplifiers. They have been widely counterfeited [१].
  • BU508: NPN, 1500 V power BJT. Designed for television horizontal deflection, its high voltage capability also makes it suitable for use in ignition systems.
  • MJ11012/MJ11015: 30 A, 120 V, 200 W, high power Darlington complementary pair BJTs. Used in audio amplifiers, control, and power switching.
  • 2N5457/2N5460: JFET (depletion mode), general purpose, low power, complementary pair.
  • BSP296/BSP171: IGFET (enhancement mode), medium power, near complementary pair. Used for logic level conversion and driving power transistors in amplifiers.
  • IRF3710/IRF5210: IGFET (enhancement mode), 40 A, 100 V, 200 W, near complementary pair. For high-power amplifiers and power switches, especially in automobiles.

ज्या पार्टचे क्रमांक "2S" पासून सुरु होतात ते जपानी आहेत. ज्या पार्टचे क्रमांक 2SA वा 2SB ते PNP BJTs आहेत. ज्या पार्टचे क्रमांक 2SC or 2SD ते NPN BJTs आहेत. ज्या पार्टचे क्रमांक 2SJ ते P-channel FETs आहेत. (दोन्ही JFETs आणि MOSFETs). ज्या पार्टचे क्रमांक 2SK ते N-channel FETs आहेत. (दोन्ही JFETs आणि MOSFETs).

पॅटेंट्स[संपादन]


Wiki letter w.svg
कृपया या लेखाचा / विभागाचा विस्तार करण्यास मदत करा.
अधिक माहितीसाठी या लेखाचे चर्चा पान, विस्तार कसा करावा? किंवा इतर विस्तार विनंत्या पाहा.

निनाद ००:१३, २४ डिसेंबर २००८ (UTC)